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ZH-酸純化器酸氣冷凝制備高純酸試劑，該裝置所用的容器均采用F4（聚四氟乙烯）和F46（聚全氟乙丙烯）耐腐蝕高純氟塑料，因此可以處理硝酸、鹽酸、氫fu酸等實驗室的常用酸而*,而這一特性不為石英亞沸騰蒸餾器所具有。
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ZH-酸純化器酸氣冷凝制備高純酸試劑
為了滿足ICP、ICP-MS低的檢測限需求提供實驗室級超純酸蒸餾裝置，該裝置采用調壓器加熱，使酸保持亞沸騰狀態，再將其酸蒸氣冷卻的原理制備超純酸。
ZH-酸純化器酸氣冷凝制備高純酸試劑，該裝置所用的容器均采用F4（聚四氟乙烯）和F46（聚全氟乙丙烯）耐腐蝕高純氟塑料，因此可以處理硝酸、鹽酸、氫fu酸等實驗室的常用酸而*,而這一特性不為石英亞沸騰蒸餾器所具有。
實驗證明，將大部分金屬雜質含量約10ppb的酸提純，經過一次蒸餾后，金屬雜質含量可以降低到0.01ppb左右，甚至更低。若對酸要求更高，可增加提純次數。
配件：FEP窄口瓶、調壓器、F4接頭、加熱套、塑料水池、進出水管。
高純氟塑料亞沸騰蒸餾器特點：
亞沸蒸餾器是制備高純試劑和高純水的氟塑料儀器，它具有技術先進，結構合理，安裝簡單，操作方便，維修簡便。亞沸蒸餾是利用加熱套熱輻射原理，保持液體溫度低于沸點溫度蒸發冷凝從而制備高純水和高純試劑，在進行測定（原子吸收光譜、氣相色譜、同位素、電感藉合等離子發射光譜等）痕量元素及微量有機物時，是*的配套儀器設備。
使用步驟：
1、使用前，可用10%～20%硝酸浸泡透明F46（FEP）試劑瓶和白色F4連接器12小時，再用高純水多次清洗后使用，以免引入雜質元素。當然按實驗不同不一定是硝酸。
2、把兩個透明氟塑料瓶子用F4（白色）接頭擰上，放在水池架上。注意接頭與瓶口不能擰得太緊，應可松動漏氣，如果接頭擰緊，則加熱時瓶體會因氣體膨脹而變形開裂。壓棍插好。
3、在盛有需要提純試劑的瓶體加上電熱套，插上白色F4墊片，插在加熱套和F46（FEP）瓶之間，適當擰緊螺栓。
4、連接調壓器，電壓在70V-85V之間電壓上調時應75、80、85依次5個電壓遞增，保持亞沸騰。不同的試劑使用溫度不同，用戶需在使用中摸索。
5、加熱時應連續進行，正常酸提純量可以達到6～30ml/小時。
6、水池兩個孔，其中：上孔為出水孔，下孔為進水孔。
7、電壓超過100V提純效果不佳，實驗時不得接觸裸露的電線。
8、不需要水冷卻，蒸餾比老款對口瓶效率提高3-5倍
9、耐腐蝕，易清潔，使用方便，壽命長
10、設備更簡單，操作更容易
11、溶液剩余量可見
12、大限度地減少酸氣的溢出，分體式設計更減少了酸氣對控制系統的電子元件腐蝕
品名型號 規格（ml） 材質 產率（ml/h） 功率（W） 電壓
酸蒸鎦器ZL-I 500 FEP、PTFE 3 350 220v/50hz
酸蒸鎦器ZL-II 1000 FEP、PTFE 5 350 220v/50hz
ZH-酸純化器利用熱輻射原理使酸氣冷凝制備高純酸試劑
一、產品簡介：
酸純化器：又稱酸純化系統，高純酸提純器，酸試劑提純器，高純酸蒸餾純化器等，實驗室工作中常常由于酸的純度較差，造成分析結果的偏差與錯誤。市售的超純酸往往由于價格較貴，很難滿足日常分析中對酸的大量需求。因此，提純優化酸的質量，是較為經濟可行的途徑，我廠的酸純化器可用于實驗室如HNO3、HCl、HF、堿溶液和有機溶劑的純化，純化后的酸和Merck的一樣好，實驗后期可配套我單位Teflon特氟龍系列試劑瓶收取高純酸。
二、工作原理：
酸純化器是利用熱輻射原理，保持液體溫度低于沸點溫度蒸發，再將其酸蒸氣冷凝從而制備高純水和高純試劑，廣泛應用于樣品處理及分析實驗中。
1、可以滿足ICP、ICP-MS低的檢測限需要及苛刻的分析應用中提供實驗室級超純酸，所用容器均采用Teflon耐腐蝕無吸附塑料，可處理如HNO3、HCl、HF等實驗室的常用酸。
2、實驗證明將金屬雜質含量約10ppb的酸經過一次蒸餾后，金屬雜質含量可以降低到0.01ppb左右。若對酸要求更高，可增加提純次數。
四、相關參數：
型號 | CH-I 500ml | CH-II 1000ml | CH-Ⅲ 2000ml |
名稱 | 酸純化器 | 酸純化器 | 酸純化器 |
產酸率 | 30ml/h | 50ml/h | 70ml/h |
溫控方式 | PID溫控數顯 | PID溫控數顯 | PID溫控數顯 |
控溫精度 | ±1℃ | ±1℃ | ±1℃ |
材質 | FEP、PTFE、硅膠 | ||
電壓 | 220V/50Hz | ||
功率（W） | 350 | ||
優勢 | 1.密閉環境下提純酸，不受環境污染，確保酸純度 | ||
2.純FEP、PTFE材質制造，空白值低無腐蝕 | |||
3.技術先進，結構合理，操作簡單，一鍵式操作，蒸干自我保護 | |||
4.提純過程中，極少量酸氣逸出 | |||
5.節約成本，方便實驗：較短時間內純化低成本的酸試劑以達到痕量分析要求 | |||
五、使用注意事項：
1、所有配件（控制器、電源線、加熱片等除外）放入按實驗要求一定濃度的酸液中浸泡，去除雜質。
【電子級酸】：
適用于半導體生產過程中所用產品的清洗和蝕刻以及痕量金屬元素殘留分析，根據質控的金屬元素含量的數量和含量，劃分為4個級別：MOS級，VLSI級，ULSI級，SLSI級
MOS級（EL級）：控制十多個金屬元素，單項金屬元素雜質控制在100PPb左右
VLSI級：控制三十多個金屬元素，單項金屬元素雜質控制在10~100PPb
ULSI級：控制三十多個金屬元素，單項金屬元素雜質控制在10PPb以下
SLSI級：控制三十多個金屬元素，單項金屬元素雜質控制在1PPB以下
所謂的電子級酸，其實就是ppb或者ppt級的高純酸。
實驗數據（僅供參考）：儀器：CH-I 酸純化器；試劑：優級純的HF
蒸餾后，經中國地質大學地質過程與礦產資源國家重點實驗室ICP-MS檢測出HF中雜質的含量：
元素 | 測量濃度（ng/g=ppb） | 元素 | 測量濃度（ng/g=ppb） |
Be | <0.01 | Ba | <0.01 |
Mg | <0.02 | La | <0.01 |
Sc | <0.01 | Ce | <0.01 |
V | <0.01 | Pr | <0.01 |
Cr | <0.03 | Nd | <0.01 |
Mn | <0.01 | Eu | <0.01 |
Co | <0.01 | Gd | <0.01 |
Ni | <0.01 | Tb | <0.01 |
Zn | <0.02 | Er | <0.01 |
Ga | <0.01 | Tm | <0.01 |
Rb | <0.01 | Yb | <0.01 |
Sr | <0.02 | Lu | <0.01 |
Zr | <0.01 | Hf | <0.01 |
Cd | <0.01 | Pb | <0.01 |
Sn | <0.01 | Th | <0.01 |
Cs | <0.01 | U | <0.01 |
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